製品開発／研究開発(電気・電子) 事業会社メーカー大手

上場大手半導体メーカーにおけるパワーデバイス技術エンジニアの求人

求人ID:1214043

募集終了

転職求人情報

職種

パワーデバイス技術エンジニア

ポジション

課長もしくは部長

年収イメージ

年収想定：680万円〜1500万円

仕事内容

当社は、自動車をはじめとするあらゆる製品向けに、パワー半導体デバイスを搭載および開発しています。デバイス技術エンジニアは、自身の知識と経験を基に他社を凌駕する次世代及び将来に用いられるデバイス開発を担います。

仕事内容は、構想設計から試作開発、デバイス評価、量産まで多岐にわたり、自身の技術力やキャリア向上に繋がります。当事者意識が高く、チームワークを大切にしている方を求めています。

【職務内容】
＜xEV用IGBTの事業を拡大するため、IGBTデバイス・プロセス開発に従事＞
・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
・デバイス構造設計やプロセスフロー構築
・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門との連携

必要スキル

【必須要件】
パワーデバイス構造設計やプロセス開発経験

【歓迎要件】
・Field Stop 型IGBTのウェハプロセス、デバイス動作、信頼性等に関する専門知識
・TCADシミュレーションスキル
・TEGレイアウトスキル
・デバイス電気特性評価スキル
・IGBTモジュール実装に関する知識
・インバータシステムに関する知識

【語学要件】
・日本語：ビジネス会話が出来る
・英語：ビジネス会話ができる (TOEIC 700点程度)

就業場所

就業形態

正社員

企業名

グローバル電子部品メーカー

企業概要

グローバル電子部品メーカー

企業PR

業務カテゴリ

製品開発／研究開発(電気・電子)

組織カテゴリ

事業会社

備考

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